Исследователи снизили напряжение питания флэш-памяти до 1 В, что может сильно ускорит

Discussion in 'Мировые новости. Обсуждения.' started by Ice_Burn, 23 May 2010.

  1. Ice_Burn

    Ice_Burn Member

    Joined:
    10 Feb 2009
    Messages:
    217
    Likes Received:
    26
    Reputations:
    1
    Японские исследователи разработали технологию, которая, как утверждается, позволяет флэш-памяти типа NAND работать при напряжении 1 В. Это позволит снизить энергопотребление на 86% по сравнению с существующими образцами, рассчитанными на напряжение 1,8 В. В проекте участвовали специалисты университета Токио и института AIST (Advanced Industrial Science and Technology).

    Уменьшить энергетические аппетиты новой памяти позволило применение ферроэлектрического материала. Если быть более точным, ферроэлектрическая пленка служит в качестве изолятора, разделяющего металлический затвор и ячейку флэш-памяти. Напряжение, необходимое для записи, примерно равно 6 В, тогда как в случае обычной флэш-памяти оно составляет около 20 В. Из более низкого напряжения питания такое напряжение получается путем «накачки» в специальной цепи. Если понизить напряжение питания в существующих образцах, потребуется больше ступеней «накачки». Память, созданная участниками проекта, обходится без этого усложнения схемы. Ключевым элементом разработки, позволяющим избежать ошибок при записи с пониженным напряжением, является метод записи, который исследователи назвали «Single-cell Self-boost method». Его суть заключается в определенных манипуляциях с соседними ячейками, позволяющих повысить разность потенциалов между выбранной и невыбранной ячейками.

    Малое энергопотребление ценно не только само по себе. Если использовать новую память в твердотельном накопителе, можно записывать данные одновременно в большое количество чипов (до 110), что позволяет повысить скорость записи SSD до впечатляющего значения 9,5 ГБ/с. Это примерно в семь раз больше, чем в случае накопителей на флэш-памяти типа NAND, выпускаемой сейчас.

    Сведения о разработке были опубликованы в ходе мероприятия под названием IMW 2010 (IEEE International Memory Workshop), которое проходило с 16 по 19 мая в Сеуле.


    23.05.10
    Источник: http://techon.nikkeibp.co.jp/english/NEWS_EN/20100519/182725/?P=1
     
  2. aka dexter

    aka dexter Elder - Старейшина

    Joined:
    23 Jun 2006
    Messages:
    540
    Likes Received:
    797
    Reputations:
    74
    хорошая новость. будем ждать новостей непосредственно с рынка.
     
  3. MenHelth

    MenHelth New Member

    Joined:
    23 May 2010
    Messages:
    4
    Likes Received:
    2
    Reputations:
    0
    Вот вам и Япошки они кругом все заполонили и везде
     
  4. POS_troi

    POS_troi Elder - Старейшина

    Joined:
    1 Dec 2006
    Messages:
    1,569
    Likes Received:
    466
    Reputations:
    108
    новость хорошая а заголовок УГ. Научитесь пожалуйста переписывать заголовок под требования форума а не тупо копировать
     
Loading...